SiNAPS（Simultaneous Neural Active Pixel Sensor）是由Hong Kong Plexon公司和 Corticale公司合作推出的一款植入式有源像素传感器CMOS电极（CMOS-probe），用于大规模神经元电活动的同步记录。SiNAPS作为一款小面积、超低功耗的植入式电极可以实现高分辨率的大脑电活动的记录。

微电极阵列（Microelectrode Array，MEA）是一种常用的金属丝电极，电极尖端经过精细的物理打磨加工可达到较为一致的2-3μm，排列在电极基板上，并使用环氧树脂胶与电极接口固定。

漂浮电极阵列（Floating Microelectrode Array，FMA）主要由以下几部分组成，超薄且轻的聚亚酰胺材质的基板与排列在上面的电极，连接基板与电极接口的软线束和电极接口。

Spreading微电极阵列电极尖端的电极丝经过弯曲处理隐藏在不锈钢管内，不锈钢管起导管的作用，当导管插入到目标记录脑区上方时，固定导管不动，同时推动电极接口，将电极丝从导管中推出，电极记录点相对随机分布在导管尖端下方四周位置。

线性微电极阵列（Linear Microelectrode Array，LMA），电极点线性排列在电极尖端。

慢性微电极阵列（Chronic Linear Microelectrode Array, CLMA）,电极尖端只有经过硬化处理的电极丝尽量减少记录区域的组织损伤来保证长期慢性的神经信号记录。

慢性可调线性微电极阵列尤其适合于长期慢性的深部脑区神经信号记录，在电极植入后还能够微调电极点的位置，获取更多的神经信号。

Ribbon线性微电极阵列的电极点线性的排列在电极尖端，同时电极丝经过硬化处理且呈带状排列，所以称之为Ribbon Array。