SiNAPS（Simultaneous Neural Active Pixel Sensor）是由Plexon公司和 Corticale公司合作推出的一款植入式有源像素传感器CMOS电极（CMOS-probe），用于大规模神经元电活动的同步记录。SiNAPS作为一款小面积、超低功耗的植入式电极可以实现高分辨率的大脑电活动的记录。由于采用了有源像素传感器（Active Pixel Sensor，APS）架构，可以用更少的布线实现更高的电极阵列密度，从而实现高通道、高密度的电极记录。并且用户无需选择记录的通道，可实现256-1024通道所有通道的同时采集。配合Plexon公司成熟的OmniPlex系统，可以在SiNAPS上实现参考（reference）、阈值检测（threshold）、剔除（culling）和分拣（spike sorting）等功能，让高通量记录摆脱纯数据流式的采集。 SiNAPS电极优势： 模块化电路架构：通用模块化架构，可根据不同客户和应用的需求提供量身定制的快速解决方案 灵活的制造流程：可对CMOS-probes进行低成本原型设计 紧凑且可扩展的设备：电极点的排列非常紧凑，并且具有局部前端放大电路，使其能够实现更高的电极阵列，并且可以各个电极点同时记录。

慢性可调线性微电极阵列尤其适合于长期慢性的深部脑区神经信号记录，在电极植入后还能够微调电极点的位置，获取更多的神经信号。

Ribbon线性微电极阵列的电极点线性的排列在电极尖端，同时电极丝经过硬化处理且呈带状排列，所以称之为Ribbon Array。

慢性微电极阵列（Chronic Linear Microelectrode Array, CLMA）,电极尖端只有经过硬化处理的电极丝尽量减少记录区域的组织损伤来保证长期慢性的神经信号记录。

线性微电极阵列（Linear Microelectrode Array，LMA），电极点线性排列在电极尖端。

微电极阵列（Microelectrode Array，MEA）是一种常用的金属丝电极，电极尖端经过精细的物理打磨加工可达到较为一致的2-3μm，排列在电极基板上，并使用环氧树脂胶与电极接口固定。

漂浮电极阵列（Floating Microelectrode Array，FMA）主要由以下几部分组成，超薄且轻的聚亚酰胺材质的基板与排列在上面的电极，连接基板与电极接口的软线束和电极接口。

Spreading微电极阵列电极尖端的电极丝经过弯曲处理隐藏在不锈钢管内，不锈钢管起导管的作用，当导管插入到目标记录脑区上方时，固定导管不动，同时推动电极接口，将电极丝从导管中推出，电极记录点相对随机分布在导管尖端下方四周位置。